韓國首爾2025年9月23日 /美通社/ -- 韓國8英寸純晶圓代工廠SK keyfoundry今日宣布推出具備業(yè)界領(lǐng)先高擊穿電壓特性的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)電容工藝。

數(shù)字隔離器的高擊穿電壓特性可增強半導體器件的安全性與可靠性，同時延長器件的使用壽命並提升抗噪能力。新型多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)工藝支持堆疊最多三層IMD，每層最大厚度達6微米，從而在金屬-絕緣體-金屬(MIM)結(jié)構(gòu)中，總厚度最高可達到18微米。該工藝可提供高達19,000V的擊穿電壓特性及優(yōu)異電容性能，預計將用於制造數(shù)字隔離用電容器，以及電子電路中抑制電容耦合的電容器。

採用此工藝制造的電容已成功通過主要客戶的經(jīng)時介電層擊穿(TDDB)評估，並符合AEC-Q100國際汽車半導體質(zhì)量標準，確保在嚴苛環(huán)境下實現(xiàn)高可靠性運行。該工藝尤其可集成到0.13微米及0.18微米BCD工藝技術(shù)中，在汽車半導體領(lǐng)域具備極高的應(yīng)用價值。此外，SK keyfoundry還提供PDK（工藝設(shè)計套件）、DRC（設(shè)計規(guī)則檢查）、LPE（版圖寄生參數(shù)提取）、LVS（版圖與電路原理圖一致性檢查）及Pcell（參數(shù)化單元）等設(shè)計支持工具，助力客戶加速產(chǎn)品開發(fā)進程。

SK keyfoundry強調(diào)，在電動汽車、工業(yè)、通信及醫(yī)療保健等領(lǐng)域，部分電子設(shè)備對高抗噪能力有明確要求，與基於傳統(tǒng)光隔離器的設(shè)備相比，此項數(shù)字隔離技術(shù)將在性能、可靠性、集成度及成本效益方面形成顯著競爭優(yōu)勢。

SK keyfoundry首席執(zhí)行官Derek D. Lee表示：「我們很高興推出業(yè)界領(lǐng)先的用於數(shù)字隔離器的多層厚金屬間電介質(zhì) (Thick IMD)工藝技術(shù)，該技術(shù)正受到電動汽車等電子行業(yè)領(lǐng)域的廣泛關(guān)注。憑借相比競爭對手更出色的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，SK keyfoundry將持續(xù)開發(fā)高可靠性隔離技術(shù)，不僅為韓國國內(nèi)客戶，還將為包括美國、中國大陸和臺灣地區(qū)在內(nèi)的海外客戶提供世界級工藝技術(shù)，滿足客戶的多樣化需求?！?/p>

關(guān)於SK keyfoundry

SK keyfoundry總部位於韓國，為半導體企業(yè)提供專業(yè)的模擬與混合信號代工服務(wù)，廣泛應(yīng)用於消費電子、通信、計算、汽車及工業(yè)等多個領(lǐng)域。憑借廣泛的技術(shù)組合及工藝節(jié)點，SK keyfoundry能夠靈活應(yīng)對全球半導體企業(yè)不斷演變的需求。獲取更多信息，請訪問https://www.skkeyfoundry.com。